Así creará Stanford chips de memoria 1.000 veces más rápidos

Escrito por , 7 de Septiembre de 2016 a las 08:30
Así creará Stanford chips de memoria 1.000 veces más rápidos
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Así creará Stanford chips de memoria 1.000 veces más rápidos

Escrito por , 7 de Septiembre de 2016 a las 08:30

Un equipo de investigadores de la Universidad de Stanford ha profundizado en la memoria de cambio de fase, que podría ser mucho más rápida que las conocidas hasta ahora.

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ALMACENAMIENTO

El almacenamiento de los datos cada vez requiere más espacio y las necesidades no se quedan aquí. También se demanda una mayor rapidez a la hora de acceder a estos datos. Entre las investigaciones que se están llevando a cabo para abordar estas cuestiones está el trabajo de la Universidad de Stanford. Un equipo de científicos ha realizado experimentos con un determinado tipo de memoria, la de cambio de fase, que permite anticipar velocidades 1.000 veces superiores a las actuales.

Como todas las tripas de la electrónica, las memorias están compuestas de silicio. Este material semiconductor permite que los electrones se muevan o se queden quietos para representar los dos estados básicos de la computación digital, unos y ceros. Sin embargo, existen iniciativas encaminadas a librarse del silicio como material para la electrónica.

En lo que respecta a las memorias, las hay de dos tipos, volátil y no volátil. Las primeras se corresponden con la RAM de un ordenador o un smartphone, mientras que las segundas serían un disco duro o uno SSD. La diferencia entre ambas es que la primera necesita energía para conservar los datos que graba. En el momento que se desconecta de la corriente se borra.

En cambio, la memoria volátil tiene una ventaja: es mucho más rápida. De ahí que los desarrolladores combinen el uso de ambas para realizar según qué tareas. En este caso los científicos de Stanford han experimentado con una memoria de cambio de fase, que no está basada en silicio, pero que resulta extremadamente rápida. Sin embargo, es no volátil.

Memoria de cambio de fase

Esta nueva memoria de cambio de fase sería 1.000 veces más rápida que las que hoy se utilizan y también consumiría una cantidad de energía mucho menor. El principio de este nuevo tipo de memorias se basa en que algunos materiales tienen estructuras atómicas flexibles, lo que quiere decir que pueden pasar fácilmente de una estructura ordenada o cristalina a otra desordenada o amorfa.

Mientras que la estructura ordenada permite el paso de una corriente de electrones, la amorfa inhibe su paso. El cambio de una a otra estructura crea el mismo juego que se produce en el silicio para representar unos y ceros, de manera que el resultado es el mismo. Los investigadores de Stanford han ideado un método para aplicar breves fogonazos de calor, que se transmiten de forma óptica o eléctrica.

Los investigadores han comprobado que al aplicar a un material con estructura amorfa un campo eléctrico de potencia equivalente a lo que sería un rayo, el cambio que representa el paso de un cero a un uno se produce en menos de un psicosegundo, una fracción que es una milmillonésima parte de un segundo.

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